MemSilicon完成国际首款高密度大容量1T4R 1Gb RRAM芯片流片

铭芯启睿（MemSilicon）宣布完成基于1TnR技术路线的首代高密度、大容量RRAM芯片“泰山一号”流片。该芯片采用28nm CMOS工艺和1T4R结构，单芯片容量达1Gb，存储密度为30Mb/mm²，访问延时小于20ns，并集成了片上硬件纠错电路。芯片目前正在推进验证，可满足具身智能、AI PC等终端的片上大容量新型非易失存储需求。